ещающихся объектов, для
автоматических прецизионных измерительных устройств, в системах автоматического
открывания дверей и т.д.

2. Фотогальванические элементы, которые превращают свет
непосредственно в электрическую энергию без необходимости во внешнем источнике
тока. Фотогальванические элементы на основе селена используются главным образом
в люксметрах и экспонометрах. Фотогальванические элементы на основе кремния
имеют более высокий квантовый выход и используются, в частности, в управляющем
и регулирующем оборудовании, для обнаружения световых импульсов, в
волоконно-оптических линиях связи и т.д.

Специальными категориями фотогальванических элементов являются:

i. Солнечные элементы, кремниевые фотогальванические элементы,
которые превращают солнечный свет непосредственно в электрическую энергию. Они
обычно используются в виде солнечных батарей в качестве источников
электрической энергии, например, в ракетах или спутниках, используемых при
исследовании космоса, для передатчиков, применяемых для спасения потерпевших в
горах.

В данную товарную позицию также включаются солнечные элементы,
собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в
панели. Однако в данную товарную позицию не включаются панели или модули,
снабженные элементами, хотя и простыми (например, диодами для регулирования
направления тока), которые подают энергию непосредственно, например, на двигатель,
электролизер (товарная позиция 8501).

ii. Фотодиоды (германиевые, кремниевые и т.д.), характеризуемые
изменением электрического сопротивления при падении световых лучей на
р-n-переход. Они используются в автоматической обработке информации (считывание
перфокарт и лент, запоминание информации), в качестве фотокатодов в некоторых
электронных трубках, в радиационных пирометрах и т.д. Фототранзисторы и
фототиристоры принадлежат к этой категории фотоприемников.

Приборы этой категории отличаются, будучи собранными, от диодов,
транзисторов и тиристоров вышеприведенного пункта (А) своим корпусом, который
является частично прозрачным для обеспечения возможности прохождения света.

iii. Оптроны и фотореле, состоящие из электролюминесцентных
диодов в сочетании с фотодиодами, фототранзисторами или фототиристорами.

Фоточувствительные полупроводниковые приборы включаются в данную
товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными (например,
с их электродами-выводами или соединительными проводниками), в корпусе или
несобранными.

 

В. Светоизлучающие диоды

 

Светоизлучающие диоды или электролюминесцентные диоды (на основе,
inter alia, арсенида галлия или фосфида галлия) являются устройствами, которые
преобразуют электрическую энергию в видимое, инфракрасное или ультрафиолетовое
излучение. Они используются, например, для отображения или передачи информации
в системах управления.

Лазерные диоды излучают луч когерентного света и используются,
например, при обнаружении ядерных частиц, в оборудовании для измерения высоты
или для телеметрии, в системах связи, использующих волоконную оптику.

 

Г. Собранные пьезоэлектрические кристаллы

 

К ним относятся в основном кристаллы титаната бария (включая
поликристаллические поляризованные элементы титаната бария), кристаллы титаната
цирконата свинца или другие кристаллы товарной позиции 3824 (см.
соответствующие пояснения), или кристаллы кварца или турмалина. Они
используются в микрофонах, громкоговорителях, ультразвуковой аппаратуре,
колебательных контурах стабилизированной частоты и т.д. Они относятся к данной
товарной позиции только в случае, если они собраны. Они обычно выполняются в
виде пластин, прутков, дисков, колец и т.д. и должны, по меньшей мере,
снабжаться электродами или электрическими соединениями. Они могут быть покрыты
графитом, лаком и т.д. или смонтированы на опорах, и они часто находятся внутри
баллона (например, металлического короба, стеклянной колбы). Если, однако,
из-за добавки других компонентов законченное изделие (сборка плюс кристалл) не
может больше рассматриваться просто как собранный кристалл и идентифицируется
как специфическая часть машины или оборудования, то такая сборка
классифицируется как часть машины или рассматриваемого оборудования: например,
пьезоэлектрические элементы для микрофонов или громкоговорителей (товарная
позиция 8518), звукоснимателей (товарная позиция 8522), элементы датчика
(чувствительные элементы) ультразвуковых приборов для измерения толщины или
обнаружения дефектов (товарная позиция 9033), кварцевые резонаторы для электронных
часов (товарная позиция 9114).

В данную товарную позицию также не включаются несобранные
пьезоэлектрические кристаллы (в основном товарная позиция 3824, 7103 или 7104).

 

Части

 

При условии соблюдения общих положений, относящихся к
классификации частей (см. общие положения к разделу XVI), части товаров данной
товарной позиции включаются в данную товарную позицию.

 

Пояснения к субпозиции.

 

Субпозиция 8541 21

 

Мощность рассеивания транзистора измеряется при приложении
рабочего напряжения к прибору и измерении мощности рассеивания при температуре
корпуса до 25 град. С. Например, если транзистор способен выдерживать
длительный ток нагрузки в 0,2 А при рабочем напряжении в 5 В, при поддержании
температуры корпуса 25 град. С, его мощность рассеивания составит 1 Вт (ток (в
амперах) х напряжение (в вольтах) = мощность (в ваттах)).

Для транзисторов с элементом для отвода тепла (например,
лепестком, металлическим корпусом) опорной температурой в 25 град. С будет
температура днища или корпуса, в то время как для других транзисторов
(например, с простым пластмассовым корпусом) применима комнатная температура.

 

8542    Схемы электронные интегральные и
микросборки:

        8542 10 - карточки 
с  электронными  интегральными схемами

                  ("интеллектуальные" карточки)

                - схемы интегральные монолитные:

        8542 21 - - цифровые

        8542 29 - - прочие

        8542 60 - гибридные интегральные микросхемы

        8542 70 - электронные микросборки

        8542 90 - части

 

Изделия данной товарной позиции определены в примечании 5Б к
данной группе.

Электронные интегральные схемы и микросборки являются
устройствами, имеющими высокую плотность пассивных и активных элементов или
компонентов, которые рассматриваются как отдельные блоки. (В отношении
элементов или компонентов, рассматриваемых как "пассивные" или
"активные", - см. пояснения к товарной позиции 8534, первый абзац.)
Электронные схемы, содержащие лишь пассивные элементы, не включаются в данную
товарную позицию.

Изделия данной товарной позиции (электронные микросхемы) делятся
на два вида согласно процессу производства: интегральные схемы и микросборки.

I. Электронные интегральные схемы.

Они включают:

1. Монолитные интегральные схемы. Они являются микросхемами, в
которых схемные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы,
межэлементные соединения и т.д.) образованы в массе (главным образом) и на
поверхности полупроводникового материала (например, легированного кремния), и
поэтому неразъемно связаны. Монолитные интегральные схемы могут быть цифровыми,
линейными (аналоговыми) или аналого-цифровыми.

Монолитные интегральные схемы могут быть представлены как:

i) собранные, то есть с их выводами или соединительными
проводниками, помещенными или не помещенными в керамику, металл или пластмассу.
Корпуса могут быть цилиндрическими, в форме параллелепипедов и т.д.;

ii) несобранные, то есть как кристаллы, как правило,
прямоугольной формы со сторонами, имеющими размер обычно в несколько
миллиметров;

iii) в виде неразрезанных пластин (то есть в виде не разрезанных
на кристаллы);

iv) в форме карточек, обычно известных как
"интеллектуальные" ("smart") карточки, которые имеют
встроенную в них электронную интегральную схему (микропроцессор) в виде
кристалла и которые могут иметь или не иметь магнитную полоску. Однако к этой
категории не относятся "интеллектуальные" ("smart")
карточки с двумя или более электронными интегральными схемами, которые могут
иметь или не иметь магнитную полоску (товарная позиция 8543).

Монолитные цифровые интегральные схемы включают:

i) структуры металл-оксид-полупроводник (МОП-технология);

ii) схемы, полученные по биполярной технологии;

iii) схемы, полученные комбинацией биполярной и МОП-технологии
(БИМОП-технология).

Технология металл-оксид-полупроводник (МОП), особенно
комплементарный металл-оксид-полупроводник (КМОП), и биполярная технология -
"основные" технологии, применяемые в процессе изготовления
транзисторов. Как основные компоненты монолитных интегральных схем эти
транзисторы придают интегральным схемам их индивидуальность. Биполярные схемы
предпочтительны для систем, где требуется добиться максимальной логической
скорости. С другой стороны, МОП-схемы предпочтительны для систем, в которых
требуется высокая плотность элементов и низкое энергопотребление. Кроме того,
КМОП-схемы обладают наименьшими требованиями по энергопотреблению. Таким
образом, они предпочтительны для областей применения, где ограничены
возможности источника питания или где ожидаются проблемы с охлаждением.
Дополнительные отношения между биполярной и МОП-технологиями еще более
выявляются в БИМОП-технологии, которая объединяет скорость биполярных схем с
высокой интеграцией и низким энергопотреблением КМОП-схем.

Некоторые монолитные интегральные цифровые схемы этого вида
используются в качестве центрального процессорного устройства (называемого
"микропроцессором"), блока памяти и т.д.

2. Гибридные интегральные схемы. Они являются микросхемами,
образованными на изолирующей подложке, на которой была образована тонко- или
толстопленочная схема. Этот процесс дает возможность получить одновременно
некоторые пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения
и т.д.). Однако чтобы стать гибридной интегральной схемой данной товарной
позиции, полупроводники должны быть встроены и установлены на поверхности или в
виде кристаллов независимо от того, есть у них корпус или нет, или как
помещенные в корпус полупроводники (например, специально спроектированные
миниатюрные корпуса). Гибридные интегральные схемы могут также содержать
произведенные отдельно пассивные элементы, которые встроены в основную
пленочную схему таким же образом, как и полупроводники. Обычно эти пассивные
элементы составляют такие компоненты, как конденсаторы, резисторы или
индуктивности в виде кристаллов.

Подложки, образованные из нескольких слоев, обычно керамических,
термосвязанных вместе для образования компактной сборки, должны рассматриваться
в качестве единой подложки в пределах значения примечания 5Б (б) к данной
группе.

Компоненты, образующие гибридную интегральную схему, должны быть
объединены неразъемным образом для всех целей и областей применения, то есть,
хотя некоторые из элементов можно было бы теоретически удалить и заменить, это
представляло бы длительную и кропотливую работу, являющуюся неэкономичной в
нормальных производственных условиях.

II. Электронные микросборки.

Микросборки делают из дискретных, активных или как активных, так
и пассивных компонентов, подобранных и соединенных между собой.

Дискретные компоненты являются неразъемными и представляют собой
основные электронные структурные компоненты в системе. Они могут иметь
единственную активную электрическую функцию (полупроводниковые приборы,
определенные примечанием 5А к группе 85) или единственную пассивную
электрическую функцию (резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и
т.д.).

Однако компоненты, состоящие из нескольких электрических схемных
элементов и имеющие множество электрических функций, такие как интегральные
схемы, не считаются дискретными компонентами.

Микросборки обычно выполняются в виде модулей, таких как:

1. Сформованные блоки, в которых компоненты помещены в оболочку в
блоке (куб, параллелепипед, полусфера и т.д.) обычно из пластмассы.

2. Микромодули, изготовленные посредством наложения и взаимного
подсоединения нескольких прямоугольных (включая квадратные) подложек, каждая из
которых служит носителем для одного компонента или более.

В данную товарную позицию не включаются пленочные схемы,
состоящие лишь из пассивных элементов (товарная позиция 8534).

За исключением комбинаций (для всех целей и областей применения,
являющихся неразъемными), на которые делалась ссылка выше, в части I пункта 2,
относительно гибридных интегральных схем, в данную товарную позицию также не
включаются сборки, образованные установкой одного или более дискретных
компонентов на опоре, образованной, например, печатной схемой, а также сборки,
образованные добавлением к электронной микросхеме либо одной или нескольких
микросхем того же самого или другого типа, либо одного или нескольких приборов,
таких как диод, трансформатор, резистор.

Такие сборки классифицируются следующим образом:

а) сборки, которые образуют законченную машину или оборудование
(или объект, рассматриваемый как законченный), включаются в товарную позицию,
относящуюся к машине или оборудованию;

б) другие сборки - в соответствии с положениями классификации
частей машин (примечания 2б и 2в к разделу XVI, в частности).

Например, сборка, состоящая из ряда электронных микросхем,
установленных на носителе соответствующей формы, и определенная как часть
памяти цифровой вычислительной машины, отнесена к товарной позиции 8473.

 

Части

 

При условии соблюдения общих положений, относящихся к
классификации частей (см. общие положения к разделу XVI), части товаров данной
товарной позиции включаются в данную товарную позицию.

 

8543    Машины электрические  и аппаратура, имеющие индивидуальные

        функции, в другом месте данной группы не поименованные или

        не включенные:

                - ускорители частиц:

        8543 11 - - установки ионной  имплантации  для
легирования

                    полупроводниковых материалов

        8543 19 - - п