p>

             │минимальным  
размером   разрешения  от │

             │0,7 мкм и менее                         │

             │   
Примечание.   Минимальный    размер │

             │разрешения (МРР)   рассчитывается    по │

             │следующей формуле:                      │

             │                                        │

             │     
(экспозиция источника освещения с │

             │     
длиной волны в мкм) x (К фактор) 
│

             │МРР = _________________________________~│

             │             
цифровая апертура         │

             │                                        │

             │где К фактор = 0,7;                     │

             │                                        │

3.2.1.6.2.   │Установки, специально 
спроектированные │ 845610000;

             │для производства шаблонов или обработки │
845699

             │полупроводниковых       приборов      с
│

             │использованием             отклоняемого │

             │фокусируемого электронного луча,  пучка │

             │ионов или лазерного луча, имеющие любую │

             │из следующих характеристик:             │

             │а) размер пятна менее 0,2 мкм;          │

             │б) способность 
производить  рисунок  с │

             │минимальными  
разрешенными  проектными │

             │нормами менее 1 мкм; или                │

             │в) точность        совмещения     лучше
│

             │+/- 0,20 мкм (3 сигма)                  │

             │         
                              │

3.2.1.7.     │Шаблоны или 
промежуточные фотошаблоны, │

             │разработанные 
для  интегральных  схем, │

             │контролируемых по пункту 3.1.1;         │

             │                                        │

3.2.1.8.     │Многослойные шаблоны 
с  фазосдвигающим │
901090000

             │слоем                                   │

             │                                        │

3.2.2.       │Аппаратура испытаний,       управляемая │

             │встроенной   
программой,    специально │

             │спроектированная для испытания  готовых │

             │или  
находящихся   в   разной 
степени │

             │изготовления          полупроводниковых │

             │приборов, и специально спроектированные │

             │компоненты и приспособления для нее:    │

             │                                        │

3.2.2.1.     │Для измерения              S-параметров │ 903180390

             │транзисторных  
приборов   на  частотах │

             │свыше 31 ГГц;                           │

             │                                        │

3.2.2.2.     │Для испытаний   
интегральных     схем, │
903180390

             │способная   
выполнять   функциональное
│

             │тестирование (по таблицам истинности) с │

             │частотой  
тестирования   строк   более │

             │60 МГц                                  │

             │   
Примечание. По пункту 
3.2.2.2   не │

             │контролируется аппаратура    испытаний, │

             │специально    
спроектированная     для │

             │испытаний:                              │

             │а) электронных   сборок   или    класса │

             │электронных  
сборок  для  бытовой 
или │

             │игровой электронной аппаратуры;         │

             │б) неконтролируемых         электронных │

             │компонентов, 
электронных  сборок   или │

             │интегральных схем;                      │

             │                                        │

3.2.2.3.     │Для испытаний             микроволновых │ 903180390

             │интегральных   
схем    на    частотах, │

             │превышающих 3 ГГц                       │

             │   
Примечание. По пункту 
3.2.2.3   не │

             │контролируется аппаратура    испытаний, │

             │специально    
спроектированная     для │

             │испытания  
микроволновых  интегральных
│

             │микросхем      
для       оборудования, │

             │предназначенного   или   пригодного  по │

             │техническим 
условиям  для   работы  
в │

             │стандартном 
гражданском  диапазоне  на │

             │частотах, не превышающих 31 ГГц.        │

             │                                        │

3.2.2.4.     │Электронно-лучевые             системы, │ 903180390

             │спроектированные  для  работы на уровне
│

             │3 кэВ или менее,  или лазерные  лучевые
│

             │системы для бесконтактного зондирования │

             │запитанных полупроводниковых  приборов, │

             │имеющие все следующие составляющие:     │

             │а) стробоскопический   режим   либо   с │

             │затенением 
луча,  либо  с 
детекторным │

             │стробированием; и                       │

             │б) электронный 
спектрометр  для замера │

             │напряжений менее 0,5 В                  │

             │   
Примечание. По пункту  
3.2.2.4  не │

             │контролируются сканирующие  электронные │

             │микроскопы,   
кроме    тех,    которые │

             │специально 
спроектированы  и  оснащены │

             │для    
бесконтактного     зондирования
│

             │запитанных полупроводниковых приборов.  │

             │                                        │

3.3.         │Материалы                               │

             │                                       
│

3.3.1.       │Гетероэпитаксиальные         материалы, │

             │состоящие 
из  подложки  с 
несколькими │

             │последовательно             наращенными │

             │эпитаксиальными слоями,  имеющими любую │

             │из следующих составляющих:              │

             │                                        │

3.3.1.1.     │Кремний;                                │ 381800100;

             │                                        │ 381800900

3.3.1.2.     │Германий; или                           │ 381800900

             │                                        │

3.3.1.3.     │Соединения III/V 
на  основе галлия или │
381800900

             │индия                                   │

    
        │    Техническое примечание.  Соединения │

             │III/V -  
это  поликристаллические  или │

             │двухэлементные       или        сложные
│

             │монокристаллические продукты, состоящие │

             │из  
элементов   групп   IIIA  
и    VA │

             │периодической 
системы  Менделеева  (по │

             │отечественной     классификации     это
│

             │группы    
A3  и   B5) (арсенид галлия, │

             │алюмоарсенид  
галлия,   фосфид   индия │

             │и т.п.)                                 │

             │                                        │

3.3.2.       │Материалы резистов и подложки, покрытые │

             │контролируемыми резистами, такие как:   │

             │                                        │

3.3.2.1.     │Позитивные резисты, предназначенные для │
382490900

             │полупроводниковой           литографии, │

             │специально              приспособленные │

             │(оптимизированные) для использования на │

             │спектральную   
чувствительность  менее │

             │370 нм;                                 │

             │                                        │

3.3.2.2.     │Все резисты,    
предназначенные    для │
382490900

             │использования    при     экспонировании
│

             │электронными 
или  ионными  пучками, 
с │

             │чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм  или │

             │лучше;                                  │

             │                                        │

3.3.2.3.     │Все резисты,    
предназначенные    для │
382490900

             │использования    при     экспонировании
│

             │рентгеновскими         лучами,        с
│

             │чувствительностью  2,5 мДж/кв. мм   или
│

             │лучше;                                  │

             │                                        │

3.3.2.4.     │Все резисты,   
оптимизированные    под │
382490900

             │технологии   
формирования     рисунка, │

             │включая силицированные резисты          │

             │   
Техническое примечание.     
Методы │

             │силицирования -      это      процессы,
│

             │включающие  
оксидирование  поверхности
│

             │резиста, для повышения качества мокрого │

             │и сухого проявления.                    │

             │                                        │

3.3.3.       │Органо-неорганические компаунды,  такие │

             │как:                                    │

             │                                        │

3.3.3.1.     │Органо-металлические  
соединения    на │
293100800

             │основе алюминия,  галлия  или  индия 
с │

             │чистотой  
металлической  основы  свыше │

             │99,999%;                                │

             │            
                           │

3.3.3.2.     │Органо-мышьяковистые,           органо- │ 293100800

             │сурьмянистые     и     органо-фосфорные
│

             │соединения 
с   чистотой   органической │

             │элементной основы свыше 99,999%         │

             │   
Примечание. По     пункту     3.3.3 │

             │контролируются только  соединения,  чей │

             │металлический, 
частично  металлический │

             │или      
неметаллический       элемент
│

             │непосредственно  связан  с  углеродом в │

             │органической части молекулы.            │

             │                                        │

3.3.4.       │Гидриды фосфора, 
мышьяка  или  сурьмы, │ 284800000;

             │имеющие  
чистоту  свыше  99,999% 
даже │ 285000100

             │после 
растворения в инертных газах или │

             │водороде                                │

             │   
Примечание.  По   пункту 
3.3.4  не │

             │контролируются гидриды,  содержащие 20% │

             │и  более 
молей  инертных   газов  
или │

             │водорода.                               │

             │                                        │

3.4.         │Программное обеспечение                 │

             │                                        │

3.4.1.       │Программное обеспечение,     специально │

             │созданное    
для     разработки    или │

             │производства              оборудования, │

             │контролируемого  по  пунктам  3.1.1.2 - │

             │3.1.2.7 или по пункту 3.2               │

             │                                        │

3.4.2.       │Программное обеспечение,     специально │

             │созданное     
для     применения     в │

             │оборудовании, 
управляемом   встроенной │

             │программ