│2 Гбит/с                                │

             │   
Техническое примечание.  Для  таких │

             │приборов с архитектурой на параллельной │

             │шине   
пропускная   способность   есть │

             │произведение наибольшего объема слов на │

             │количество  
бит  в  слове.  Пропускная │

             │способность - 
это  наивысшая  скорость │

             │передачи 
данных аппаратуры,  с которой
│

             │информация 
поступает  в   запоминающее │

             │устройство 
без  потерь  при сохранении │

             │скорости 
выборки  и  аналого-цифрового │

             │преобразования.                         │

             │                                        │

3.1.2.2.     │Электронные сборки         синтезаторов │ 854320000

             │частоты, 
имеющие  время переключения с
│

             │одной заданной частоты на другую  менее │

             │1 мс;                                   │

             │             
                          │

3.1.2.3.     │Анализаторы сигналов:                   │ 903083900;

             │а) способные  
анализировать   частоты, │
903089920

             │превышающие 31 ГГц;                     │

             │б) динамические  анализаторы сигналов с │

             │полосой пропускания в реальном времени, │

             │превышающей 25,6 кГц                    │

             │   
Примечание. По подпункту "б" пункта │

             │3.1.2.3 не 
контролируются динамические │

             │анализаторы  
сигналов,    использующие │

             │только 
фильтры  с  полосой пропускания │

             │фиксированных долей.                    │

             │                                        │

             │   
Техническое примечание.   Фильтры
с │

             │полосой пропускания фиксированных долей │

             │известны  
также   как   октавные  
или │

             │дробно-октавные фильтры.                │

             │                                        │

3.1.2.4.     │Генераторы сигналов    
синтезированных │ 854320000

             │частот, 
формирующие выходные частоты с │

             │управлением  
по  параметрам  точности, │

             │кратковременной    и     долговременной
│

             │стабильности 
на  основе  или с помощью │

             │внутренней эталонной  частоты,  имеющие │

             │любую из следующих характеристик:       │

             │а) максимальную  синтезируемую  частоту
│

             │более 31 ГГц;                           │

             │б) время 
переключения с одной заданной │

             │частоты на другую менее 1 мс; или       │

             │в) фазовый 
шум  одной  боковой 
полосы │

             │лучше - (126 
+  20 lgF  -  20  lgf) 
в │

             │единицах 
дБ  x с/Гц,  где F - смещение │

             │рабочей частоты в Гц,  а  f  - 
рабочая │

             │частота в МГц                           │

             │   
Примечание. По пункту 
3.1.2.4   не │

             │контролируется аппаратура,   в 
которой │

             │выходная частота создается  либо 
путем │

             │сложения 
или  вычитания  частот с двух │

             │или более кварцевых  генераторов,  либо │

             │путем   
сложения   или   вычитания  
с │

             │последующим 
умножением  результирующей
│

    
        │частоты;                                │

             │                                        │

3.1.2.5.     │Сетевые анализаторы  
с    максимальной │
903040900

             │рабочей частотой, превышающей 40 ГГц;   │

             │            
                           │

3.1.2.6.     │Микроволновые       
приемники-тестеры, │ 852790990

             │имеющие все следующие характеристики:   │

             │а) максимальную    рабочую     частоту,
│

             │превышающую 40 ГГц; и                   │

             │б) способные  
одновременно    измерять │

             │амплитуду и фазу;                       │

             │                                        │

3.1.2.7.     │Атомные эталоны частоты,  имеющие любую │ 854320000

             │из следующих характеристик:             │

             │а) долговременную          стабильность │

             │(старение)  
менее  (лучше)  10E-11  
в │

             │месяц; или                              │

             │б) годные для применения в космосе      │

             │   
Примечание. По подпункту "а" пункта │

             │3.1.2.7 не 
контролируются   рубидиевые
│

             │стандарты,  
не   предназначенные   для │

             │космического применения.                │

             │        
                               │

3.2.         │Испытательное,    
контрольное        и │

             │производственное оборудование           │

             │                                        │

3.2.1.       │Нижеперечисленное оборудование      для │

             │производства полупроводниковых приборов │

             │или    
материалов     и     специально │

             │разработанные компоненты и оснастка для │

             │них:                                    │

             │                                        │

3.2.1.1.     │Установки, управляемые       встроенной │

             │программой,    
предназначенные     для │

             │эпитаксиального    выращивания,   такие
│

             │как:                                    │

             │                                       
│

3.2.1.1.1.   │Установки, способные        выдерживать │ 847989650

             │толщину слоя 
с  отклонением  не 
более │

             │+/- 2,5% на протяжении 75 мм или более; │

             │              
                         │

3.2.1.1.2.   │Установки химического 
осаждения  паров │
841989200

             │металлорганических          соединений, │

             │специально       разработанные     
для │

             │выращивания    
кристаллов      сложных │

             │полупроводников  с  помощью  химических │

             │реакций 
между   материалами,   которые │

             │контролируются   по  пункту  3.3.3 
или │

             │3.3.4;                                  │

             │            
                           │

3.2.1.1.3.   │Молекулярно-лучевые           установки │ 847989700;

             │эпитаксиального            выращивания, │ 854389700

             │использующие газовые источники          │

             │                                        │

3.2.1.2.     │Установки, управляемые       встроенной │ 854311000

             │программой, 
специально предназначенные │

             │для ионной имплантации,  имеющие 
любую │

             │из следующих характеристик:             │

   
         │а) ускоряющее
напряжение свыше 200 кэВ; │

             │б) специально    спроектированные     и
│

             │оптимизированные     для    работы    с │

             │ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ;   │

             │в) обладающие              способностью
│

             │непосредственной записи; или            │

             │г) пригодные 
для  высокоэнергетической │

             │имплантации  
кислорода   в    нагретую │

             │подложку полупроводникового материала;  │

             │                                       
│

3.2.1.3.     │Установки сухого травления анизотропной │
845691000;

             │плазмой,    
управляемые     встроенной
│ 845699900

             │программой:                             │

             │а) с покассетной обработкой  пластин 
и │

             │загрузкой  
через   загрузочные  шлюзы, │

             │имеющие    
любую     из      следующих │

             │характеристик:                          │

             │1) магнитную защиту; или                │

             │2) электронный циклотронный резонанс    │

             │б) специально  
спроектированные    для │

             │оборудования, контролируемого по пункту │

             │3.2.1.5, 
и имеющие любую из  следующих
│

             │характеристик:                          │

             │1) магнитную защиту; или                │

             │2) электронный циклотронный резонанс;   │

             │                                        │

3.2.1.4.     │Установки химического      парофазового │ 841989200;

             │осаждения  
и   плазменной  стимуляции, │ 841989300

             │управляемые встроенной программой:      │

             │а) с 
покассетной  обработкой пластин и
│

             │загрузкой 
через   загрузочные   шлюзы, │

             │имеющие     
любую     из     следующих │

             │характеристик:                          │

             │1) магнитную защиту; или                │

             │2) электронный циклотронный резонанс    │

             │б) специально  
спроектированные    для │

             │оборудования, контролируемого по пункту │

             │3.2.1.5, 
имеющие  любую  из 
следующих │

             │характеристик:                          │

             │1) магнитную защиту; или                │

             │2) электронный циклотронный резонанс;   │

             │                                        │

3.2.1.5.     │Управляемые встроенной       программой │ 845610000;

             │автоматически загружаемые многокамерные │
845691000;

             │системы  
с    центральной    загрузкой │ 845699900;

             │пластин,   
имеющие    все    следующие │ 845699300;

             │составляющие:                           │ 847950000

             │а) интерфейсы для загрузки  и 
выгрузки │

             │пластин, к которым присоединяется более │

             │двух единиц оборудования для  обработки │

             │полупроводников; и                      │

             │б) предназначенные для  интегрированной │

             │системы                последовательной │

             │многопозиционной 
обработки  пластин  в │

             │вакуумной среде                         │

             │   
Примечание. По пункту  
3.2.1.5  не │

             │контролируются           автоматические │

             │робототехнические   системы    загрузки │

             │пластин, 
не предназначенные для работы │

             │в вакууме.                              │

             │                                        │

3.2.1.6.     │Установки литографии,       управляемые │

             │встроенной программой, такие как:       │

             │                                        │

3.2.1.6.1.   │Установки многократного 
совмещения   и │ 900922900

             │экспонирования 
для  обработки  пластин │

             │методом      
фотооптической        или │

             │рентгеновской литографии, имеющие любую │

             │из следующих составляющих:              │

             │а) источник света с длиной волны короче │

             │400 нм; или                             │

             │б) способность воспроизводить рисунок с │