![]() |
| ![]() |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
пункте │ │3.1.1.1.12; если интегральная схема │ │является кремниевой микросхемой │ │микроЭВМ или микросхемой │ │микроконтроллера, указанных в пункте │ │3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда │ │8 бит или менее, то ее контрольный │ │статус должен определяться в │ │соответствии с пунктом 3.1.1.1.3. │ │ │ 3.1.1. │Электронные компоненты, такие как: │ │ │ 3.1.1.1. │Нижеперечисленные интегральные │ │микросхемы общего назначения: │ │ Примечания. 1. Контрольный статус │ │готовых пластин или полуфабрикатов для │ │их изготовления, на которых │ │воспроизведена конкретная функция, │ │оценивается по параметрам, указанным в │ │пункте 3.1.1.1. │ │ 2. Понятие "интегральные схемы" │ │включает следующие типы: │ │твердотельные интегральные схемы; │ │гибридные интегральные схемы; │ │многокристальные интегральные схемы; │ │пленочные интегральные схемы, включая │ │интегральные схемы типа "кремний на │ │сапфире"; │ │оптические интегральные схемы. │ │ │ 3.1.1.1.1. │Интегральные схемы, спроектированные │ 8542 │или определяемые как радиационно │ │стойкие, чтобы выдержать следующее: │ │а) общую дозу 5 x 10E3 рад (кремний) │ │или выше; или │ │б) предел мощности дозы 5 x 10E6 рад │ │(кремний)/с или выше; │ │ │ 3.1.1.1.2. │Интегральные схемы электрически │ 8542 │программируемых постоянных запоминающих │ │устройств (ЭППЗУ), программируемые с │ │ультрафиолетовым стиранием, и │ │статических запоминающих устройств с │ │произвольной выборкой (СЗУПВ), а также │ │интегральные схемы, указанные в пунктах │ │3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте │ │3.1.1.1.12, имеющие любую из следующих │ │характеристик: │ │а) работоспособные при температуре │ │окружающей среды выше 398 K │ │(+125 град. C); │ │б) работоспособные при температуре │ │окружающей среды ниже 218 K │ │(-55 град. C); или │ │в) работоспособные за пределами │ │диапазона температур окружающей среды │ │от 218 K (-55 град. C) до 398 K │ │(+125 град. C) │ │ Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не │ │распространяется на интегральные схемы │ │для гражданских автомобилей и │ │железнодорожных локомотивов; │ │ │ 3.1.1.1.3. │Микропроцессорные микросхемы, │ │микрокомпьютерные микросхемы и │ │микросхемы микроконтроллеров, имеющие │ │любую из следующих характеристик: │ │ Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 │ │включает процессоры цифровых сигналов, │ │цифровые матричные процессоры и │ │цифровые сопроцессоры. │ │ │ 3.1.1.1.3.1. │Совокупную теоретическую │ 854213550; │производительность (СТП) 260 млн. │ 854213690; │теоретических операций в секунду │ 854214300; │(Мтопс) или более и │ 854214440; │арифметико-логическое устройство с │ 854219550; │длиной выборки 32 бита или более; │ 854219680; │ │ 854240100 │ │ 3.1.1.1.3.2. │Изготовленные на полупроводниковых │ 854213550; │соединениях и работающие на тактовой │ 854213690; │частоте, превышающей 40 МГц; или │ 854214300; │ │ 854214440; │ │ 854219550; │ │ 854219680; │ │ 854240100 │ │ 3.1.1.1.3.3. │Более чем одну шину данных или команд, │ 854213550; │или порт последовательной связи для │ 854213690; │внешнего межсоединения в параллельный │ 854214300; │процессор со скоростью передачи, │ 854214440; │превышающей 2,5 Мбит/с │ 854219550; │ │ 854219680; │ │ 854240100 │ │ 3.1.1.1.4. │Интегральные схемы памяти, │ 854213550; │изготовленные на полупроводниковых │ 854213670; │соединениях; │ 854213690; │ │ 854214300; │ │ 854214420; │ │ 854214440; │ │ 854219550; │ │ 854219620; │ │ 854219680; │ │ 854240100 │ │ 3.1.1.1.5. │Интегральные схемы для аналого- │ 854230650; │цифровых и цифро-аналоговых │ 854230950; │преобразователей, такие как: │ 854240900 │а) аналого-цифровые преобразователи, │ │имеющие любую из следующих │ │характеристик: │ │1) разрешающую способность 8 бит или │ │более, но меньше 12 бит с общим │ │временем преобразования до максимальной │ │разрешающей способности менее 10 нс; │ │2) разрешающую способность 12 бит с │ │общим временем преобразования до │ │максимальной разрешающей способности │ │менее 200 нс; или │ │3) разрешающую способность более 12 бит │ │с общим временем преобразования до │ │максимальной разрешающей способности │ │менее 2 мкс; │ │б) цифро-аналоговые преобразователи с │ │разрешающей способностью 12 бит и более │ │и временем выхода на установившийся │ │режим менее 10 нс; │ │ │ 3.1.1.1.6. │Электронно-оптические и оптические │ 8542 │интегральные схемы для обработки │ │сигналов, имеющие одновременно все │ │перечисленные составляющие: │ │а) один внутренний лазерный диод или │ │более; │ │б) один внутренний светочувствительный │ │элемент или более; и │ │в) оптические волноводы; │ │ │ 3.1.1.1.7. │Программируемые пользователем матрицы │ 854213740; │логических ключей на полевых │ 854214650 │транзисторах, имеющие любую из │ │следующих характеристик: │ │а) эквивалентное количество годных │ │вентилей более 30000 (в пересчете на │ │двухвходовые); или │ │б) типовое время задержки основного │ │логического элемента менее 0,4 нс; │ │ │ 3.1.1.1.8. │Программируемые пользователем │ 854213740; │логические матрицы полевых │ 854214650; │транзисторов, имеющие хотя бы одну из │ 854219740 │следующих характеристик: │ │а) эквивалентное количество годных │ │вентилей более 30000 (в пересчете на │ │двухвходовые); или │ │б) частоту переключения, превышающую │ │133 МГц; │ │ │ 3.1.1.1.9. │Интегральные схемы для нейронных сетей; │ 8542 │ │ 3.1.1.1.10. │Заказные интегральные схемы, у которых │ 854213720; │функция неизвестна либо производителю │ 854214600; │неизвестно, распространяется ли │ 854219720; │контрольный статус на аппаратуру, в │ 854230; │которой будут использоваться данные │ 854240 │интегральные схемы, имеющие любую из │ │следующих характеристик: │ │а) свыше 208 выводов; │ │б) типовое время задержки основного │ │логического элемента менее 0,35 нс; или │ │в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; │ │ │ 3.1.1.1.11. │Цифровые интегральные схемы, │ 8542 │отличающиеся от указанных в пунктах │ │3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, │ │созданные на основе какого-либо │ │полупроводникового соединения и имеющие │ │любую из следующих характеристик: │ │а) эквивалентное количество годных │ │вентилей более 300 (в пересчете на │ │двухвходовые); или │ │б) частоту переключения, превышающую │ │1,2 ГГц; │ Перейти на стр.1Перейти на стр.2Перейти на стр.3Перейти на стр.4Перейти на стр.5Перейти на стр.6Перейти на стр.7Перейти на стр.8Перейти на стр.9Перейти на стр.10Перейти на стр.11Перейти на стр.12Перейти на стр.13Перейти на стр.14Перейти на стр.15Перейти на стр.16Перейти на стр.17стр.18Перейти на стр.19Перейти на стр.20Перейти на стр.21Перейти на стр.22Перейти на стр.23Перейти на стр.24Перейти на стр.25Перейти на стр.26Перейти на стр.27Перейти на стр.28Перейти на стр.29Перейти на стр.30Перейти на стр.31Перейти на стр.32Перейти на стр.33Перейти на стр.34Перейти на стр.35Перейти на стр.36Перейти на стр.37Перейти на стр.38Перейти на стр.39Перейти на стр.40Перейти на стр.41Перейти на стр.42Перейти на стр.43Перейти на стр.44Перейти на стр.45Перейти на стр.46Перейти на стр.47Перейти на стр.48Перейти на стр.49Перейти на стр.50Перейти на стр.51Перейти на стр.52Перейти на стр.53Перейти на стр.54Перейти на стр.55Перейти на стр.56Перейти на стр.57Перейти на стр.58Перейти на стр.59Перейти на стр.60Перейти на стр.61Перейти на стр.62Перейти на стр.63Перейти на стр.64Перейти на стр.65Перейти на стр.66Перейти на стр.67Перейти на стр.68Перейти на стр.69Перейти на стр.70Перейти на стр.71Перейти на стр.72Перейти на стр.73Перейти на стр.74Перейти на стр.75Перейти на стр.76Перейти на стр.77Перейти на стр.78Перейти на стр.79Перейти на стр.80Перейти на стр.81Перейти на стр.82Перейти на стр.83Перейти на стр.84Перейти на стр.85Перейти на стр.86Перейти на стр.87Перейти на стр.88Перейти на стр.89Перейти на стр.90Перейти на стр.91Перейти на стр.92Перейти на стр.93Перейти на стр.94Перейти на стр.95Перейти на стр.96Перейти на стр.97Перейти на стр.98Перейти на стр.99Перейти на стр.100Перейти на стр.101Перейти на стр.102Перейти на стр.103Перейти на стр.104Перейти на стр.105Перейти на стр.106Перейти на стр.107Перейти на стр.108Перейти на стр.109Перейти на стр.110Перейти на стр.111Перейти на стр.112 |