атод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности
катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть
коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера
может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции
используются изделия с регулированием их положения.

 

Особое
примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к
нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением
изделия.

 

3. Ионная
имплантация - специальная модификация генерального процесса, в котором
плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых
покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению
составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых
материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение
(в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий,
свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров
термовыпариванием.

4. Пакетная
цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс
нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру-смесь
нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из:

а) металлических
порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или
их комбинации);

б) активатора (в
большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертной
пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия).

Изделие и
смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается от 1030
K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) на время, достаточное для нанесения
покрытия.

5. Плазменное
напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка
(горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру
или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется
интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на
осуществляемом под водой напылении плазмой низкого давления или
высокоскоростной плазмой.

 

Особые
примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокоскоростная
плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления),
превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении
0,1 МПа.

 

6. Осаждение
суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой
поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая
пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с
изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной
или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств
покрытия.

7. Металлизация
распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на
феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в
электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия).
Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности
мишени требуемого покрытия.

 

Особые
примечания: а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или
реактивной металлизации распылением, которые применяются для увеличения адгезии
материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении
напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов
покрытий;

б) низкоэнергетические
ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации)
процесса нанесения покрытия.

 

8. Ионная
имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности
изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей
градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К
процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная
имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом
или металлизации распылением.

 

Техническая
терминология, используемая

в
таблице технических приемов осаждения покрытий

 

Подразумевается,
что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов
осаждения покрытий, используется при необходимости.

1. Терминология,
используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в
таблице:

1.1. Параметры
химического снятия покрытий и очистки в ванне:

1.1.1. Состав
раствора для ванны:

1.1.1.1. Для
удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных
отложений;

1.1.1.2. Для
приготовления чистых подложек

1.1.2. Время
обработки в ванне;

1.1.3.
Температура в ванне;

1.1.4. Число и
последовательность промывочных циклов

1.2. Визуальные и
макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы;

1.3. Параметры
циклов горячей обработки:

1.3.1.
Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав
атмосферы;

1.3.1.2.
Атмосферное давление

1.3.2.
Температура для горячей обработки;

1.3.3.
Продолжительность горячей обработки

1.4. Параметры
подложек для поверхностной обработки:

1.4.1. Параметры
пескоструйной очистки:

1.4.1.1. Состав
песка;

1.4.1.2. Размеры
и форма частиц песка;

1.4.1.3. Скорость
подачи песка

1.4.2. Время и
последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры
окончательно обработанной поверхности

1.5. Технические
параметры защитного покрытия:

1.5.1. Материал
защитного покрытия;

1.5.2. Размещение
защитного покрытия

2. Терминология,
используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих
качество покрытия для способов, указанных в таблице:

2.1. Атмосферные
параметры:

2.1.1. Состав
атмосферы;

2.1.2.
Атмосферное давление

2.2. Временные
параметры;

2.3.
Температурные параметры;

2.4. Параметры
слоя;

2.5. Коэффициент
параметров преломления

3. Терминология,
используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в
таблице, осадкой мелкозернистым песчаником:

3.1. Параметры
упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав
дроби;

3.1.2. Размер
дроби;

3.1.3. Скорость
подачи дроби

3.2. Параметры
обработки осадкой мелкозернистым песчаником;

3.3. Параметры
цикла горячей обработки:

3.3.1.
Атмосферные параметры:

3.3.1.1. Состав
атмосферы;

3.3.1.2.
Атмосферное давление

3.3.2.
Температурно-временные циклы

3.4. Визуальные и
макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия
на подложку

4. Терминология,
используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих
качество покрытия подложек, указанных в таблице:

4.1. Критерии
статического выборочного контроля;

4.2.
Микроскопические критерии для:

4.2.1. Усиления;

4.2.2.
Равномерности толщины покрытия;

4.2.3.
Целостности покрытия;

4.2.4. Состава
покрытия;

4.2.5. Сцепления
покрытия и подложки;

4.2.6.
Микроструктурной однородности

4.3. Критерии для
оценки оптических свойств:

4.3.1.
Отражательная способность;

4.3.2.
Прозрачность;

4.3.3.
Поглощение;

4.3.4. Рассеяние

5. Терминология,
используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и
с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице:

5.1. Для
химического осаждения паров:

5.1.1. Состав и
формулировка источника покрытия;

5.1.2. Состав
несущего газа;

5.1.3.
Температура подложки;

5.1.4.
Температурно-временные циклы и циклы давления;

5.1.5. Контроль и
изменение дозировки газа

5.2. Для
термального сгущения - физического осаждения паров:

5.2.1. Состав
слитка или источника материала покрытия;

5.2.2.
Температура подложки;

5.2.3. Состав
химически активного газа;

5.2.4. Норма
загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала;

5.2.5.
Температурно-временные циклы и циклы давления;

5.2.6. Контроль и
изменение дозировки газа;

5.2.7. Параметры
лазера:

5.2.7.1. Длина
волны;

5.2.7.2.
Плотность мощности;

5.2.7.3.
Длительность импульса;

5.2.7.4.
Периодичность импульсов;

5.2.7.5.
Источник;

5.2.7.6.
Ориентация подложки

5.3. Для
цементации с предварительной обмазкой:

5.3.1. Состав
обмазки и формулировка;

5.3.2. Состав
несущего газа;

5.3.3.
Температурно-временные циклы и циклы давления

5.4. Для
плазменного напыления:

5.4.1. Состав
порошка, подготовка и объемы распределения;

5.4.2. Состав и
параметры подаваемого газа;

5.5.3.
Температура подложки;

5.4.4. Параметры
мощности плазменной пушки;

5.4.5. Дистанция
напыления;

5.4.6. Угол
напыления;

5.4.7. Состав
покрывающего газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Контроль и
изменение дозировки плазменной пушки

5.5. Для
металлизации распылением:

5.5.1. Состав и
структура мишени;

5.5.2.
Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;

5.5.3. Состав
химически активного газа;

5.5.4. Высокочастотное
подмагничивание;

5.5.5.
Температурно-временные циклы и циклы давления;

5.5.6. Мощность
триода;

5.5.7. Изменение
дозировки

5.6. Для ионной
имплантации:

5.6.1. Контроль и
изменение дозировки пучка;

5.6.2. Элементы
конструкции источника ионов;

5.6.3. Аппаратура
управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4.
Температурно-временные циклы и циклы давления

5.7. Для ионного
гальванического покрытия:

5.7.1. Контроль и
изменение дозировки пучка;

5.7.2. Элементы
конструкции источника ионов;

5.7.3. Аппаратура
управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4.
Температурно-временные циклы и циклы давления;

5.7.5. Скорость
подачи покрывающего материала и скорость испарения;

5.7.6.
Температура подложки;

5.7.7. Параметры
наклона подложки

 

─────────────┬────────────────────────────────────────┬───────────

      N      │             Наименование               │Код товар -

  
позиции   │                                       
│ной номен -

             │                                        │клатуры

             │                                        │внешнеэко

             │                                        │номической

             │                                        │деятель -

             │                                        │ности

─────────────┼────────────────────────────────────────┼───────────

             │       
Категория 3. Электроника       
│

             │                                        │

3.1.         │Системы, оборудование и компоненты      │

   
         │    Примечания. 1. Контрольный   статус │

             │оборудования и компонентов, указанных в │

             │пункте 3.1, 
других, нежели те, которые │

             │указаны    
в     пунктах   3.1.1.1.3 - │

             │3.1.1.1.10 или 
в  пункте   3.1.1.1.12, │

             │которые  
специально   разработаны  или │

             │имеют  
те   же  самые   функциональные
│

             │характеристики,      как    и    другое │

             │оборудование,     определяется       по
│

             │контрольному      
статусу      другого │

             │оборудования.                           │

             │    2.
Контрольный статус  интегральных │

             │схем, 
указанных в пунктах 3.1.1.1.3  -
│

             │3.1.1.1.9  
или  в  пункте  3.1.1.1.12,
│

             │программы  
которых   не   могут  
быть │

             │изменены,   
или    разработанных   для │

             │выполнения  
конкретных   функций   для │

             │другого 
оборудования,  определяется по
│

             │контрольному      статусу       другого
│

             │оборудования.                           │

             │                                        │

             │   
Особое примечание.  В  тех случаях, │

             │когда изготовитель   или  заявитель  не │

             │может 
определить  контрольный   статус │

             │другого  
оборудования,   этот   статус │

             │определяется   
контрольным    статусом │

             │интегральных схем,  указанных в пунктах │

             │3.1.1.1.3 
-  3.1.1.1.9   или