![]() |
| ![]() |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
II.3.11.9.2. │спроектированных или модифицированных для применения │в системах, указанных в пункте I.1.2 │ II.3.11.10. │Конструкция и технология производства электронных │устройств и их частей, специально спроектированных │для использования в военных целях и эксплуатации при │температурах свыше 125 град. C, включая: │ II.3.11.10.1.│радиовзрыватели; │ II.3.11.10.2.│лавинно-пролетные диоды или диоды Ганна │ II.3.11.11. │Конструкция и технология производства бортовых │аналоговых и цифровых ЭВМ или цифровых │дифференциальных анализаторов, способных длительно │функционировать при температуре ниже -45 град. C и │выше +55 град. C или имеющих повышенную радиационную │стойкость │ II.3.11.12. │Конструкция и технология производства │аналого-цифровых преобразователей, разработанных │или модифицированных в соответствии с требованиями │к военной технике, и имеющих: │ II.3.11.12.1.│микросхемы для аналого-цифрового преобразования с │повышенной радиационной стойкостью в герметичном │исполнении с разрешением 8 бит или более и │работоспособные при температурах ниже -54 град. C и │выше +125 град. C; │ II.3.11.12.2.│электрические элементы на печатных платах или │модулях для входного аналого-цифрового │преобразования с разрешением 8 бит или более, │работоспособные при температуре ниже -54 град. C и │выше +125 град. C и включающие интегральные │микросхемы с характеристиками, указанными в пункте │II.2.11.12.1 │ II.3.11.13. │Технология проектирования бортовой аппаратуры и │подсистемы электропитания, повышающая защищенность │от воздействия электромагнитного импульса (ЭМИ) и │внешних электромагнитных помех: │ II.3.11.13.1.│технология проектирования экранирующих систем; │ II.3.11.13.2.│методы выбора рациональной компоновки электрических │цепей и подсистем, защищенных от воздействия │электромагнитного импульса и электромагнитных помех │внешних источников; │ II.3.11.13.3.│методы выбора критерия защищенности │радиоэлектронного бортового оборудования и │электрических подсистем от воздействия │электромагнитного импульса и электромагнитных помех │внешних источников │ II.3.12. │Конструкция и технология производства оборудования │для составления эталонных карт местности │ II.3.13. │Математическое обеспечение аналого-цифровых │устройств ввода-вывода изображения и ЭВМ, │предназначенных для составления эталонных карт │местности │ II.3.14. │Конструкция и технология производства специально │разработанных интегральных микросхем с повышенной │радиационной стойкостью │ II.3.15. │Конструкция и технология производства датчиков │(детекторов), пригодных для использования в │указанных в пунктах I.1.1 и I.1.2, системах для │защиты бортового оборудования от действия поражающих │факторов ядерного взрыва │ II.3.16. │Конструкция и технология производства │радиопрозрачных обтекателей (вставок), способных │противостоять термическому удару более │10E3 ккал/кв. м при времени воздействия не более │1 с., в сочетании с импульсом избыточного давления │более 0,5 кг/кв. см │ II.3.17. │Технология изготовления и нанесения полимерных │композиций на кремнийорганических связующих, │наполненных микросферами лантана, неодима и олова │ II.3.18. │Конструкция и технология производства │пускопроверочного оборудования и средств, │используемых в процессе эксплуатации ракет и │беспилотных летательных аппаратов, указанных в │пунктах I.1.1 и I.1.2 │ II.3.18.1. │Конструкция и технология производства │контрольно-испытательной аппаратуры и приборов, │спроектированных или модифицированных для проведения │обслуживания, управления, задействования, │предстартовой проверки и запуска ракет и беспилотных │летательных аппаратов │ II.3.18.2. │Конструкция и технология производства │радиопередатчиков систем боевого управления в УКВ, │КВ, СВ и ДВ диапазонах с уровнем импульсной мощности │не менее 10 кВт и вероятностью безотказной работы │свыше 0,9 │ II.3.18.3. │Конструкция и технология производства │транспортно-пусковых контейнеров │ II.3.18.4. │Конструкция и технология производства систем │слежения, использующих трансляторы кодированного │сигнала, установленные на ракетах или беспилотных │летательных аппаратах, в сочетании с наземными или │воздушными опорными системами привязки либо │космическими навигационными системами, позволяющих │производить измерения текущих координат и скорости в │реальном масштабе времени │ II.3.18.5. │Конструкция и технология производства гравиметров, │гравиметрических измерителей уклона │(градиентометров) и их специальных частей, │разработанных или модифицированных для воздушного │или морского базирования и имеющих точность, равную │0,7 миллигал (7 x 10E-6 м/с2) и выше, с временем │выхода на устойчивый режим измерения не более │2 минут │ II.3.18.6. │Конструкция и технология производства │радиолокационных станций определения дальности, │совмещенных с оптическими или инфракрасными │системами наблюдения с угловым разрешением лучше │3 миллирадиан, радиусом действия 30 км и более, с │линейным разрешением лучше 10 м (среднеквадратичное │значение) и разрешением по скорости лучше 3 м/с. │ II.3.18.7. │Конструкция и технология производства специально │спроектированных радиолокационных станций для │измерения эффективных поверхностей рассеяния │ II.3.18.8. │Конструкция и технология производства комплектов │приборов (радиопеленгаторы, гравиметры, гирокомпасы) │начальной азимутальной ориентации, включая │аппаратуру спутниковой навигации, имеющих │погрешность по углу 1 град. и менее │ II.3.18.9. │Конструкция и технология производства аппаратуры │телеметрических измерений и дистанционного │управления, пригодной для применения в системах, │указанных в пунктах I.1.1 и I.1.2 │ II.3.18.10. │Конструкция и технология производства военных машин, │спроектированных или модифицированных для │транспортировки, подготовки, обслуживания, │управления и проведения пуска ракет и беспилотных │летательных аппаратов, указанных в пунктах I.1.1 и │I.1.2 │ II.3.19. │Специально разработанное математическое обеспечение │или базы данных для анализа уменьшения сигнатур │ II.3.20. │Конструкция и технология производства испытательных │устройств и оборудования для ракет и беспилотных │летательных аппаратов и основных их подсистем │ II.3.20.1. │Конструкция и технология производства вибростендов с │использованием методов обратной связи или замкнутого │контура, включающих в себя цифровой контроллер и │способных создавать виброперегрузки в 10 g │(среднеквадратичное значение) или более при частотах │от 20 до 2000 Гц и с толкающим усилием в 50 кН (5 т) │и более, измеренным в режиме "чистого стола" │ II.3.20.2. │Конструкция и технология производства цифровых │контроллеров с шириной полосы частот более 5 кГц, │предназначенных для использования в вибростендах, │указанных в пункте II.2.14.1, в сочетании со │специально разработанным программным обеспечением │ II.3.20.3. │Конструкция и технология производства вибрационных │толкателей (вибраторов) с соответствующими │усилителями или без них, способных прикладывать │усилие в 50 кН (5 т) и более, измеренное в режиме │"чистого стола", и пригодных для применения в │вибростендах, указанных в пункте II.2.14.1 │ II.3.20.4. │Конструкция и технология производства отдельных │вспомогательных и электронных блоков, образующих в │совокупности законченный вибростенд, способный │создавать усилие в 50 кН (5 т) и более, измеренное в │режиме "чистого стола", и пригодных для применения в │вибростендах, указанных в пункте II.2.14.1 │ II.3.20.5. │Конструкция и технология производства │аэродинамических труб со скоростью потока 0,9 М и │более │ II.3.20.6. │Конструкция и технология производства испытательных │стапелей (стендов), пригодных для обслуживания │твердотопливных или жидкостных ракет или их │двигателей с тягой свыше 10 т или для одновременного │измерения компонента вектора тяги по трем осям │ II.3.20.7. │Конструкция и технология производства климатических │и безэховых камер, способных имитировать внешние │полетные условия, указанные в пункте II.2.14.4 │ II.3.20.8. │Математическое обеспечение для испытательных │устройств и оборудования, указанных в пунктах │II.2.14.1 - II.2.14.5 │ II.3.20.9. │Конструкция и технология производства ускорителей, │способных генерировать электромагнитное излучение │2 МэВ и более, создаваемое тормозным излучением │ускоренных электронов, и систем, содержащих такие │ускорители │ II.3.20.10. │Специально разработанное математическое обеспечение │для ЭВМ, в том числе гибридных (аналого-цифровых) │ЭВМ, предназначенное для моделирования, имитации и │автоматизированного проектирования ракет и │беспилотных летательных аппаратов, отдельных их │ступеней, двигательных установок и других систем, │представленных в категории I Списка │Примечание 27. Моделирование включает в себя, в │частности, аэродинамический и термодинамический │анализ систем. │ II.3.20.11. │Математическое обеспечение для о Перейти на стр.1Перейти на стр.2Перейти на стр.3Перейти на стр.4Перейти на стр.5Перейти на стр.6Перейти на стр.7Перейти на стр.8Перейти на стр.9Перейти на стр.10Перейти на стр.11Перейти на стр.12Перейти на стр.13Перейти на стр.14Перейти на стр.15Перейти на стр.16Перейти на стр.17Перейти на стр.18Перейти на стр.19Перейти на стр.20Перейти на стр.21Перейти на стр.22Перейти на стр.23Перейти на стр.24Перейти на стр.25Перейти на стр.26Перейти на стр.27Перейти на стр.28Перейти на стр.29Перейти на стр.30Перейти на стр.31Перейти на стр.32Перейти на стр.33Перейти на стр.34Перейти на стр.35Перейти на стр.36Перейти на стр.37Перейти на стр.38Перейти на стр.39Перейти на стр.40Перейти на стр.41Перейти на стр.42Перейти на стр.43Перейти на стр.44Перейти на стр.45Перейти на стр.46Перейти на стр.47Перейти на стр.48Перейти на стр.49Перейти на стр.50Перейти на стр.51Перейти на стр.52Перейти на стр.53Перейти на стр.54Перейти на стр.55Перейти на стр.56Перейти на стр.57Перейти на стр.58Перейти на стр.59Перейти на стр.60Перейти на стр.61Перейти на стр.62Перейти на стр.63Перейти на стр.64Перейти на стр.65Перейти на стр.66Перейти на стр.67Перейти на стр.68Перейти на стр.69Перейти на стр.70Перейти на стр.71Перейти на стр.72Перейти на стр.73Перейти на стр.74Перейти на стр.75Перейти на стр.76Перейти на стр.77Перейти на стр.78Перейти на стр.79Перейти на стр.80Перейти на стр.81Перейти на стр.82Перейти на стр.83Перейти на стр.84Перейти на стр.85Перейти на стр.86Перейти на стр.87Перейти на стр.88Перейти на стр.89Перейти на стр.90Перейти на стр.91Перейти на стр.92Перейти на стр.93Перейти на стр.94Перейти на стр.95Перейти на стр.96Перейти на стр.97Перейти на стр.98Перейти на стр.99Перейти на стр.100Перейти на стр.101Перейти на стр.102Перейти на стр.103Перейти на стр.104Перейти на стр.105Перейти на стр.106Перейти на стр.107Перейти на стр.108Перейти на стр.109Перейти на стр.110стр.111Перейти на стр.112 |