- прочие                               │  - │         10        │

│8541         │Диоды, транзисторы и
аналогичные         │    │                   │

│             │полупроводниковые
приборы;               │    │                   │

│             │фоточувствительные
полупроводниковые     │    │                   │

│             │приборы, включая
фотогальванические      │    │                   │

│             │элементы, собранные или не
собранные в   │    │                   │

│             │модули, вмонтированные или
не            │    │                   │

│             │вмонтированные в панели;
светоизлучающие │    │                   │

│             │диоды; пьезоэлектрические
кристаллы в    │    │                   │

│             │сборе:                                   │   
│                   │

│8541
10 000  │- диоды, кроме фотодиодов
или            │    │                   │

│             │ светоизлучающих
диодов:                 │    │                   │

│8541
10 000 1│- - пластины полупроводниковые, еще не   │ шт │        
10        │

│             │  разрезанные на кристаллы               │   
│                   │

│(в
ред. Постановления Правительства РФ от 30.05.2002 N 366) │                   │

│8541
10 000 9│- - прочие                   
           │ шт
│          5        │

│(в
ред. Постановления Правительства РФ от 07.07.2003 N 409) │                   │

│             │- транзисторы, кроме
фототранзисторов:   │    │                   │

│8541
21 000 0│- - мощностью рассеивания менее 1 Вт     │ шт │         
5        │

│(в
ред. Постановления Правительства РФ от 07.07.2003 N 409) │                   │

│8541
29 000 0│- - прочие                               │ шт │          5        │

│(в
ред. Постановления Правительства РФ от 07.07.2003 N 409) │                   │

│8541
30 000 0│- тиристоры, динисторы и тринисторы,     │ шт │        
10        │

│             │ кроме фоточувствительных
приборов       │    │                   │

│8541
40      │- приборы
полупроводниковые             
│    │                   │

│             │ фоточувствительные,
включая             │    │                   │

│             │ фотогальванические
элементы, собранные  │    │                   │

│             │ или не собранные в
модули,              │    │                   │

│             │ вмонтированные или не
вмонтированные в  │    │                   │

│             │ панели; светоизлучающие
диоды:          │    │                   │

│8541
40 100 0│- - диоды светоизлучающие, включая       │ шт │        
10        │

│             │  лазерные диоды                         │   
│                   │

│8541
40 900 0│- - прочие                               │ шт │         10        │

│8541
50 000 0│- приборы полупроводниковые прочие       │ шт │        
10        │

│8541
60 000 0│- кристаллы пьезоэлектрические собранные │ шт │         10        │

│(в
ред. Постановления Правительства РФ от 30.05.2002 N 366) │                   │

│8541
90 000 0│- части                                  │  - │         10        │

│(в
ред. Постановления Правительства РФ от 30.05.2002 N 366) │                   │

│8542         │Схемы электронные интегральные
и         │    │                   │

│             │микросборки:                             │    │                   │

│8542
10 000 0│- карточки с электронными интегральными  │ шт │         20        │

│             │ схемами
("интеллектуальные" карточки)  
│    │                   │

│(в
ред. Постановления Правительства РФ от 30.05.2002 N 366) │                   │

│             │- схемы интегральные
монолитные:         │    │                   │

│8542
21      │- - цифровые:                            │    │                   │

│             │- - - структуры металл -
оксид -         │    │                   │

│             │    полупроводник (МОП-структуры):       │   
│                   │

│8542
21 010 0│- - - - пластины полупроводниковые, еще  │ шт │         10        │

│             │     не разрезанные на кристаллы         │    │                   │

│8542
21 050 0│- - - - кристаллы                        │ шт │         10        │

│             │- - - - прочие:                          │    │                   │

│             │- - - - - запоминающие
устройства:       │    │                   │

│             │- - - - - - динамические
оперативные     │    │                   │

│             │        запоминающие устройства (ДОЗУ):  │    │                   │

│8542
21 110 0│- - - - - - - с объемом памяти не более  │ шт │         10        │

│             │         4 Мбит                          │    │                   │

│8542
21 130 0│- - - - - - - с объемом памяти более     │ шт │        
10        │

│             │         4 Мбит, но не более 16 Мбит     │    │                   │

│8542
21 150 0│- - - - - - - с объемом памяти более     │ шт │        
10        │

│             │         16 Мбит, но не более 64 Мбит    │    │                   │

│8542
21 170 0│- - - - - - - с объемом памяти более     │ шт │        
10        │

│             │         64 Мбит                         │   
│                   │

│8542
21 200 0│- - - - - - статические оперативные      │ шт │        
10        │

│             │        запоминающие устройства (СОЗУ),  │    │                   │

│             │        включая "кэш" - память с         │    │                   │

│             │        произвольной выборкой            │   
│                   │

│8542
21 250 0│- - - - - - перепрограммируемые          │ шт │         10        │

│             │        постоянные запоминающие          │    │                   │

│             │        устройства с ультрафиолетовым    │    │                   │

│             │        стиранием (ППЗУ УФС)             │   
│                   │

│             │- - - - - - электрически
стираемые       │    │                   │

│             │       
перепрограммируемые постоянные  
│    │                   │

│             │        запоминающие устройства (ЭС      │    │                   │

│             │        ППЗУ), включая флэш-ЭС ППЗУ:     │    │                   │

│             │- - - - - - - флэш-ЭС ППЗУ:              │   
│                   │

│8542
21 310 0│- - - - - - - - с объемом памяти не      │ шт │        
10        │

│             │          более 4 Мбит                   │   
│                   │

│8542
21 330 0│- - - - - - - - с объемом памяти более   │ шт │        
10        │

│             │          4 Мбит, но не более 16 Мбит    │    │                   │

│8542
21 350 0│- - - - - - - - с объемом памяти более   │ шт │        
10        │

│             │          16 Мбит, но не более 32 Мбит   │    │                   │

│8542
21 370 0│- - - - - - - - с объемом памяти более   │ шт │        
10        │

│             │          32 Мбит                        │   
│                   │

│8542
21 390 0│- - - - - - - прочие                     │ шт │         10        │

│8542
21 410 0│- - - - - - запоминающие устройства      │ шт │        
10        │

│             │        прочие                           │    │                  
│

│8542
21 45   │- - - - - микропроцессоры:               │    │                   │

│8542
21 451 0│- - - - - - с разрядностью процессора    │ шт │        
10        │

│             │        более 8 бит, но не более 16 бит, │    │                   │

│             │        с тактовой частотой не менее     │    │                   │

│             │        16 МГц IBM-совместимые;          │    │                   │

│             │        сигнальные процессоры с тактовой │    │                   │

│             │        частотой более 16 МГц            │    │                   │

│8542
21 452 0│- - - - - - с разрядностью процессора    │ шт │        
10        │

│             │        более 16 бит, но не более 32 бит │    │                   │

│             │        (конструктив SMD)                │    │                   │

│8542
21 459 0│- - - - - - прочие                       │ шт │         10        │

│8542
21 500 0│- - - - - микроконтроллеры и             │ шт │         10        │

│             │      микрокомпьютеры                    │   
│                   │

│             │- - - - - прочие:                        │    │                   │

│8542
21 610 0│- - - - - - устройства микропериферийные │  - │         10        │

│8542
21 690 0│- - - - - - прочие                       │ 
- │          5        │

│(в
ред. Постановления Правительства РФ от 07.07.2003 N 409) │                   │

│             │- - - прочие:                            │    │                   │

│8542
21 710 0│- - - - пластины полупроводниковые, еще  │ шт │         10        │

│             │     не разрезанные на кристаллы         │    │                   │

│8542
21 730 0│- - - - кристаллы                        │ шт │         10        │

│             │- - - - прочие:                          │    │                   │

│8542
21 810 0│- - - - - запоминающие устройства        │ шт │        
10        │

│8542
21 83   │- - - - -
микропроцессоры:              
│    │                   │

│8542
21 831 0│- - - - - - с разрядностью процессора    │ шт │        
10        │

│             │        более 8 бит,
но не более 16      │    │                   │

│             │        бит, с тактовой частотой не      │    │                   │

│             │        менее  16 МГц
IBM-совместимые;   │    │                   │

│             │        сигнальные
процессоры с          │    │                   │

│             │        тактовой частотой более 16 МГц   │    │                   │

│8542
21 832 0│- - - - - - с разрядностью процессора    │ шт │        
10        │

│             │        более 16 бит, но не более 32     │    │                   │

│             │        бит (конструктив SMD)            │   
│                   │

│8542
21 839 0│- - - - - - прочие                       │ шт │         10        │

│8542
21 850 0│- - - - - микроконтроллеры и             │ шт │         10        │

│             │      микрокомпьютеры                    │   
│